casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / AUIRF7342Q
codice articolo del costruttore | AUIRF7342Q |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRF7342Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRF7342Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 25V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF7342Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRF7342Q-FT |
MCCD2005-TP
Micro Commercial Co
MCCD2007-TP
Micro Commercial Co
MCMNP517-TP
Micro Commercial Co
MCM2301-TP
Micro Commercial Co
IRF7501TR
Infineon Technologies
IRF7503TR
Infineon Technologies
IRF7506TR
Infineon Technologies
IRF7507TR
Infineon Technologies
IRF7530TR
Infineon Technologies
IRF7555TR
Infineon Technologies
LCMXO640C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
LFEC33E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N3F40I2SG
Intel