casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF7413PBF
codice articolo del costruttore | IRF7413PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7413PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7413PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 7.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7413PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7413PBF-FT |
BSR802NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSR202NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSR302NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSR315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSR315PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSR316PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSR316PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSR606NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSR92PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSR92PL6327HTSA1
Infineon Technologies
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
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XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
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EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel