casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / IRF7313PBF
codice articolo del costruttore | IRF7313PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7313PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7313PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 25V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7313PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7313PBF-FT |
BSO207PNTMA1
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XC6SLX150T-N3FG900C
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XC7S50-1FGGA484I
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LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50U484C8
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EP2AGZ225HF40C4N
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EP1M350F780I6N
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XC7K325T-1FB676C
Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
Intel