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Infineon Technologies BSO330N02KGFUMA1

Name: BSO330N02KGFUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSO330N02KGFUMA1
Availability: InStock
Rating: 4.8 (306 reviews)

Numero parte MFG: BSO330N02KGFUMA1

quantità disponibile: 69870 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSO330N02KGFUMA1.pdf

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BSO330N02KGFUMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSO330N02KGFUMA1
Numero di parte futuro	FT-BSO330N02KGFUMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSO330N02KGFUMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	730pF @ 10V
Potenza - Max	1.4W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-DSO-8
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO330N02KGFUMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSO330N02KGFUMA1-FT

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