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Infineon Technologies BSO211PNTMA1

Name: BSO211PNTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSO211PNTMA1
Availability: InStock
Rating: 4.8 (83 reviews)

Numero parte MFG: BSO211PNTMA1

quantità disponibile: 26740 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSO211PNTMA1.pdf

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BSO211PNTMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSO211PNTMA1
Numero di parte futuro	FT-BSO211PNTMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSO211PNTMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	67 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23.9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 15V
Potenza - Max	2W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	P-DSO-8
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO211PNTMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSO211PNTMA1-FT

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