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Infineon Technologies IRLHS6376TR2PBF

Name: IRLHS6376TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLHS6376TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 4.7 (144 reviews)

Numero parte MFG: IRLHS6376TR2PBF

quantità disponibile: 81510 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRLHS6376TR2PBF.pdf

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IRLHS6376TR2PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRLHS6376TR2PBF
Numero di parte futuro	FT-IRLHS6376TR2PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRLHS6376TR2PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 25V
Potenza - Max	1.5W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	6-PQFN (2x2)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLHS6376TR2PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRLHS6376TR2PBF-FT

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