casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / BSD223P
codice articolo del costruttore | BSD223P |
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Numero di parte futuro | FT-BSD223P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSD223P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 390mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1.5µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.62nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 56pF @ 15V |
Potenza - Max | 250mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSD223P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSD223P-FT |
ECH8693R-TL-W
ON Semiconductor
ECH8695R-TL-W
ON Semiconductor
ECH8659-TL-W
ON Semiconductor
CPH6636R-TL-W
ON Semiconductor
NVDD5894NLT4G
ON Semiconductor
NTND31015NZTAG
ON Semiconductor
NTTFS5C466NLTAG
ON Semiconductor
NTMFD4C85NT1G
ON Semiconductor
NTMFD4C85NT3G
ON Semiconductor
NTMFD4C86NT1G
ON Semiconductor
LCMXO2-2000HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-3BG272
Microsemi Corporation
A3P125-2VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XCKU3P-2FFVD900I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C6
Intel
EPF10K130EBC356-1
Intel
5SGXEA3H3F35I3L
Intel