casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6724MTRPBF
codice articolo del costruttore | IRF6724MTRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6724MTRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6724MTRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Ta), 150A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 27A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4404pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MX |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MX |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6724MTRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6724MTRPBF-FT |
IRFH5104TRPBF
Infineon Technologies
IRFHM830DTR2PBF
Infineon Technologies
IRFHM830DTRPBF
Infineon Technologies
IRFHM830TR2PBF
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IRLHM620TR2PBF
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IRLHM630TR2PBF
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IRLHM630TRPBF
Infineon Technologies
IRFH9310TRPBF
Infineon Technologies
IRFH7085TRPBF
Infineon Technologies
IRFH7004TRPBF
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel