casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6604TR1
codice articolo del costruttore | IRF6604TR1 |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6604TR1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6604TR1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 49A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 7V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 12A, 7V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2270pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MQ |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MQ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6604TR1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6604TR1-FT |
IRF6678TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6678TRPBF
Infineon Technologies
IRF6714MTR1PBF
Infineon Technologies
IRF6714MTRPBF
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IRF6715MTR1PBF
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IRF6715MTRPBF
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IRF6716MTR1PBF
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IRF6717MTR1PBF
Infineon Technologies
IRF6724MTR1PBF
Infineon Technologies
IRF6724MTRPBF
Infineon Technologies
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel