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Infineon Technologies IRF6100

Numero parte MFG
IRF6100
quantità disponibile
60550 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-IRF6100
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF6100 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1230pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 4-FlipFet™
Pacchetto / caso 4-FlipFet™
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6100 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRF6100-FT

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