casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD80R2K7C3AATMA1
codice articolo del costruttore | IPD80R2K7C3AATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD80R2K7C3AATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IPD80R2K7C3AATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD80R2K7C3AATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD80R2K7C3AATMA1-FT |
IPC302N15N3X7SA1
Infineon Technologies
IPC302N20N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N20NFDX1SA1
Infineon Technologies
IPC302N25N3AX1SA1
Infineon Technologies
IPC302N25N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302NE7N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC30S2SN08NX2MA1
Infineon Technologies
IPC50R045CPX1SA1
Infineon Technologies
IPC60N04S406ATMA1
Infineon Technologies
IPC60N04S4L06ATMA1
Infineon Technologies
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel