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Infineon Technologies IRF60R217

Numero parte MFG
IRF60R217
quantità disponibile
16890 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.61768
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
StrongIRFET™ MOSFET N-CH 60V 58A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRF60R217 specificazioni

codice articolo del costruttore IRF60R217
Numero di parte futuro FT-IRF60R217
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie StrongIRFET™
IRF60R217 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 58A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.9 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2170pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF60R217 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRF60R217-FT

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