casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF60R217
codice articolo del costruttore | IRF60R217 |
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Numero di parte futuro | FT-IRF60R217 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | StrongIRFET™ |
IRF60R217 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 58A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.9 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2170pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF60R217 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF60R217-FT |
IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R365P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R070C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R099C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R130C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R165CFDAUMA1
Infineon Technologies
IPL65R190E6AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R195C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R210CFDAUMA1
Infineon Technologies
IPL65R230C7AUMA1
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel