casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF60R217
codice articolo del costruttore | IRF60R217 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRF60R217 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | StrongIRFET™ |
IRF60R217 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 58A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.9 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2170pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF60R217 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF60R217-FT |
IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R365P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R070C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R099C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R130C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R165CFDAUMA1
Infineon Technologies
IPL65R190E6AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R195C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R210CFDAUMA1
Infineon Technologies
IPL65R230C7AUMA1
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel