casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF3710ZGPBF
codice articolo del costruttore | IRF3710ZGPBF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRF3710ZGPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF3710ZGPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 59A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 160W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3710ZGPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF3710ZGPBF-FT |
IRL60B216
Infineon Technologies
IRF1407PBF
Infineon Technologies
IRFB7434PBF
Infineon Technologies
IRFB59N10DPBF
Infineon Technologies
IRF1310NPBF
Infineon Technologies
IRFB52N15DPBF
Infineon Technologies
IRFB23N20DPBF
Infineon Technologies
IRL2203NPBF
Infineon Technologies
IRF1010ZPBF
Infineon Technologies
IRFZ44VPBF
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel