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Infineon Technologies IRFB7434PBF

Name: IRFB7434PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB7434PBF
Price: 2.184 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (269 reviews)

Numero parte MFG: IRFB7434PBF

quantità disponibile: 26940 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.184

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N CH 40V 195A TO220

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRFB7434PBF.pdf

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IRFB7434PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRFB7434PBF
Numero di parte futuro	FT-IRFB7434PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®, StrongIRFET™
IRFB7434PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	195A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	324nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10820pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	294W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB7434PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRFB7434PBF-FT

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