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Infineon Technologies IRFB59N10DPBF

Name: IRFB59N10DPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB59N10DPBF
Price: 1.992 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (552 reviews)

Numero parte MFG: IRFB59N10DPBF

quantità disponibile: 86710 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.992

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRFB59N10DPBF.pdf

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IRFB59N10DPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRFB59N10DPBF
Numero di parte futuro	FT-IRFB59N10DPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFB59N10DPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	59A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	114nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2450pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.8W (Ta), 200W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB59N10DPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRFB59N10DPBF-FT

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