casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF3704STRL
codice articolo del costruttore | IRF3704STRL |
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Numero di parte futuro | FT-IRF3704STRL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF3704STRL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 77A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1996pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 87W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3704STRL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF3704STRL-FT |
IPB80P04P4L08ATMA1
Infineon Technologies
IPB90N04S402ATMA1
Infineon Technologies
IPB90N06S404ATMA1
Infineon Technologies
IPB90N06S404ATMA2
Infineon Technologies
IPB90N06S4L04ATMA1
Infineon Technologies
IPB90N06S4L04ATMA2
Infineon Technologies
IPB90R340C3ATMA1
Infineon Technologies
IPBH6N03LA
Infineon Technologies
IPBH6N03LA G
Infineon Technologies
IRF100S201
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel