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Infineon Technologies IRF100S201

Name: IRF100S201
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF100S201
Price: 1.402504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (691 reviews)

Numero parte MFG: IRF100S201

quantità disponibile: 42420 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.402504

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF100S201.pdf

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IRF100S201 specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF100S201
Numero di parte futuro	FT-IRF100S201
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®, StrongIRFET™
IRF100S201 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	192A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 115A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	255nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9500pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	441W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF100S201 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF100S201-FT

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