casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB90N06S4L04ATMA1
codice articolo del costruttore | IPB90N06S4L04ATMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPB90N06S4L04ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB90N06S4L04ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 90µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB90N06S4L04ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB90N06S4L04ATMA1-FT |
IPB60R520CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R600C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R600CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R600P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R950C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB64N25S320ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R045C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R045C7ATMA2
Infineon Technologies
IPB65R065C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R095C7ATMA1
Infineon Technologies
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation