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Infineon Technologies IRF3610STRLPBF

Name: IRF3610STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3610STRLPBF
Price: 1.32 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (772 reviews)

Numero parte MFG: IRF3610STRLPBF

quantità disponibile: 98620 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.32

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF3610STRLPBF.pdf

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IRF3610STRLPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF3610STRLPBF
Numero di parte futuro	FT-IRF3610STRLPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF3610STRLPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	103A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.6 mOhm @ 62A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Vgs (massimo)	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5380pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF3610STRLPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF3610STRLPBF-FT

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