casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB80P04P4L04ATMA1
codice articolo del costruttore | IPB80P04P4L04ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB80P04P4L04ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPB80P04P4L04ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 176nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80P04P4L04ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB80P04P4L04ATMA1-FT |
IPB60R299CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R330P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R380C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R385CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R520CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R600C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R600CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R600P6ATMA1
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
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EP2AGX65DF25C5
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5CEBA5U19C8N
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EP1C20F324I7N
Intel