casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF2804STRR
codice articolo del costruttore | IRF2804STRR |
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Numero di parte futuro | FT-IRF2804STRR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF2804STRR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6450pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 330W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF2804STRR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF2804STRR-FT |
IPB80N04S306ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N04S3H4ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N04S404ATMA1
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IPB80N04S4L04ATMA1
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IPB80N06S205ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S207ATMA1
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IPB80N06S207ATMA4
Infineon Technologies
IPB80N06S208ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S208ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N06S209ATMA1
Infineon Technologies
XC6SLX45-3FG676C
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XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
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A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
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LCMXO3LF-9400C-5BG484C
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LFE5UM5G-45F-8BG381C
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5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
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EP3C40F780C6N
Intel