casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB80N06S207ATMA1
codice articolo del costruttore | IPB80N06S207ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB80N06S207ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB80N06S207ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 68A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80N06S207ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB80N06S207ATMA1-FT |
IPB407N30NATMA1
Infineon Technologies
IPB45N04S4L08ATMA1
Infineon Technologies
IPB45N06S3-16
Infineon Technologies
IPB45N06S3L-13
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IPB45N06S409ATMA1
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IPB45N06S409ATMA2
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IPB45N06S4L08ATMA1
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IPB45P03P4L11ATMA1
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IPB47N10S33ATMA1
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IPB47N10SL26ATMA1
Infineon Technologies
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
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A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
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XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.