casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB80N04S306ATMA1
codice articolo del costruttore | IPB80N04S306ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB80N04S306ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB80N04S306ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 52µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3250pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80N04S306ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB80N04S306ATMA1-FT |
IPB260N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB26CN10NGATMA1
Infineon Technologies
IPB26CNE8N G
Infineon Technologies
IPB34CN10NGATMA1
Infineon Technologies
IPB35N10S3L26ATMA1
Infineon Technologies
IPB407N30NATMA1
Infineon Technologies
IPB45N04S4L08ATMA1
Infineon Technologies
IPB45N06S3-16
Infineon Technologies
IPB45N06S3L-13
Infineon Technologies
IPB45N06S409ATMA1
Infineon Technologies
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel