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Infineon Technologies IRF1018ESLPBF

Name: IRF1018ESLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1018ESLPBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (66 reviews)

Numero parte MFG: IRF1018ESLPBF

quantità disponibile: 40330 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 60V 79A TO-262

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF1018ESLPBF.pdf

IRF1018ESLPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF1018ESLPBF
Numero di parte futuro	FT-IRF1018ESLPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF1018ESLPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	79A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	69nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2290pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	110W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-262
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF1018ESLPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF1018ESLPBF-FT

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