casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IRD3CH101DD6
codice articolo del costruttore | IRD3CH101DD6 |
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Numero di parte futuro | FT-IRD3CH101DD6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IRD3CH101DD6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRD3CH101DD6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRD3CH101DD6-FT |
GP10YE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10YE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15GL-5014E3/72
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15K-040E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15M-024E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP2D008A065A
Global Power Technologies Group
GP2D008A065C
Global Power Technologies Group
GP2D010A065A
Global Power Technologies Group
GP2D010A065C
Global Power Technologies Group
GP2D010A170B
Global Power Technologies Group
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel