casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GP2D010A065C
codice articolo del costruttore | GP2D010A065C |
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Numero di parte futuro | FT-GP2D010A065C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Amp+™ |
GP2D010A065C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 527pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2D010A065C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP2D010A065C-FT |
FS2M-TP
Micro Commercial Co
GB02SLT06-214
GeneSiC Semiconductor
GB10SLT12-214
GeneSiC Semiconductor
GHR16-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GHR16-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-1-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-1-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-3-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-3-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-4-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel