casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GP2D010A065A
codice articolo del costruttore | GP2D010A065A |
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Numero di parte futuro | FT-GP2D010A065A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Amp+™ |
GP2D010A065A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 527pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2D010A065A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP2D010A065A-FT |
FS2K-TP
Micro Commercial Co
FS2M-TP
Micro Commercial Co
GB02SLT06-214
GeneSiC Semiconductor
GB10SLT12-214
GeneSiC Semiconductor
GHR16-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GHR16-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-1-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-1-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-3-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-3-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel