casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRCZ24PBF
codice articolo del costruttore | IRCZ24PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRCZ24PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRCZ24PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 25V |
Caratteristica FET | Current Sensing |
Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-5 |
Pacchetto / caso | TO-220-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRCZ24PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRCZ24PBF-FT |
IPD60R3K4CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R460CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R600P7SE8228AUMA1
Infineon Technologies
IPD60R650CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R800CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD65R1K4CFDATMA2
Infineon Technologies
IPD65R1K5CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD65R420CFDATMA2
Infineon Technologies
IPD65R600C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD65R950CFDATMA2
Infineon Technologies
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel