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codice articolo del costruttore | IR04ST1R0J |
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Numero di parte futuro | FT-IR04ST1R0J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IR |
IR04ST1R0J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | Phenolic |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 785mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 290 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 25MHz |
Frequenza - Autorisonante | 200MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.180" Dia x 0.385" L (4.57mm x 9.78mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR04ST1R0J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IR04ST1R0J-FT |
IR04BH4R7J
Vishay Dale
IR04BH4R7K
Vishay Dale
IR04BH510J
Vishay Dale
IR04BH511J
Vishay Dale
IR04BH560J
Vishay Dale
IR04BH5R6J
Vishay Dale
IR04BH5R6K
Vishay Dale
IR04BH680J
Vishay Dale
IR04BH681J
Vishay Dale
IR04BH6R8K
Vishay Dale
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel