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codice articolo del costruttore | IR04BH510J |
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Numero di parte futuro | FT-IR04BH510J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IR |
IR04BH510J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 51µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 167mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2.85 Ohm Max |
Q @ Freq | 55 @ 2.5MHz |
Frequenza - Autorisonante | 12.7MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.5MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.180" Dia x 0.385" L (4.57mm x 9.78mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR04BH510J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IR04BH510J-FT |
IR02SHR68K
Vishay Dale
IR02SHR82J
Vishay Dale
IR02ST100K
Vishay Dale
IR02ST101K
Vishay Dale
IR02ST120K
Vishay Dale
IR02ST121K
Vishay Dale
IR02ST151K
Vishay Dale
IR02ST180H
Vishay Dale
IR02ST1R0H
Vishay Dale
IR02ST1R0K
Vishay Dale
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel