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codice articolo del costruttore | IR04BH4R7J |
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Numero di parte futuro | FT-IR04BH4R7J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IR |
IR04BH4R7J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | Phenolic |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 260mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2.6 Ohm Max |
Q @ Freq | 33 @ 7.9MHz |
Frequenza - Autorisonante | 90MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.9MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.180" Dia x 0.385" L (4.57mm x 9.78mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR04BH4R7J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IR04BH4R7J-FT |
IR02SHR68H
Vishay Dale
IR02SHR68J
Vishay Dale
IR02SHR68K
Vishay Dale
IR02SHR82J
Vishay Dale
IR02ST100K
Vishay Dale
IR02ST101K
Vishay Dale
IR02ST120K
Vishay Dale
IR02ST121K
Vishay Dale
IR02ST151K
Vishay Dale
IR02ST180H
Vishay Dale
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel