casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPW50R399CPFKSA1
codice articolo del costruttore | IPW50R399CPFKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW50R399CPFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPW50R399CPFKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 560V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399 mOhm @ 4.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 330µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW50R399CPFKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW50R399CPFKSA1-FT |
IPSA70R360P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPS80R2K4P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R1K2P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R600P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R3K3P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R2K4P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU95R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU95R450P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU95R1K2P7AKMA1
Infineon Technologies
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation