casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPU50R950CEAKMA1
codice articolo del costruttore | IPU50R950CEAKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPU50R950CEAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CE |
IPU50R950CEAKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 1.2A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 231pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 53W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU50R950CEAKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPU50R950CEAKMA1-FT |
IPL60R360P6SATMA1
Infineon Technologies
IPL60R650P6SATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S53R1ATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S58R4ATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Infineon Technologies
IRFH4209DTRPBF
Infineon Technologies
IRFH4210DTRPBF
Infineon Technologies
IRFH4210TRPBF
Infineon Technologies
IRFH4213DTRPBF
Infineon Technologies
IRFH4213TRPBF
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel