casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPU50R950CEAKMA1
codice articolo del costruttore | IPU50R950CEAKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPU50R950CEAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CE |
IPU50R950CEAKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 1.2A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 231pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 53W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU50R950CEAKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPU50R950CEAKMA1-FT |
IPL60R360P6SATMA1
Infineon Technologies
IPL60R650P6SATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S53R1ATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S58R4ATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Infineon Technologies
IRFH4209DTRPBF
Infineon Technologies
IRFH4210DTRPBF
Infineon Technologies
IRFH4210TRPBF
Infineon Technologies
IRFH4213DTRPBF
Infineon Technologies
IRFH4213TRPBF
Infineon Technologies