casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFH4213TRPBF
codice articolo del costruttore | IRFH4213TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFH4213TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFH4213TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 41A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3420pF @ 13V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Ta), 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PQFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH4213TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFH4213TRPBF-FT |
BSC079N03LSCGATMA1
Infineon Technologies
BSC079N03SG
Infineon Technologies
BSC079N10NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC080N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC080P03LSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC082N10LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC084P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
BSC084P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC085N025S G
Infineon Technologies
BSC0901NSIATMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel