casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPU04N03LB G
codice articolo del costruttore | IPU04N03LB G |
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Numero di parte futuro | FT-IPU04N03LB G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPU04N03LB G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 70µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 115W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | P-TO251-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU04N03LB G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPU04N03LB G-FT |
BSZ120P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ12DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ130N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ150N10LS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ160N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ16DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ180P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
BSZ180P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ240N12NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ42DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel