casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSZ16DN25NS3GATMA1
codice articolo del costruttore | BSZ16DN25NS3GATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSZ16DN25NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ16DN25NS3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 32µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ16DN25NS3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSZ16DN25NS3GATMA1-FT |
BSC046N02KSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC046N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC047N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC048N025S G
Infineon Technologies
BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0501NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0503NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0504NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC050N03MSGATMA1
Infineon Technologies
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel