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codice articolo del costruttore | BSZ12DN20NS3GATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSZ12DN20NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ12DN20NS3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 5.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ12DN20NS3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSZ12DN20NS3GATMA1-FT |
BSC042N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC042N03S G
Infineon Technologies
BSC042N03ST
Infineon Technologies
BSC042NE7NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC046N02KSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC046N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC047N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC048N025S G
Infineon Technologies
BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0501NSIATMA1
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel