casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI65R420CFDXKSA1
codice articolo del costruttore | IPI65R420CFDXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI65R420CFDXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPI65R420CFDXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 340µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83.3W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI65R420CFDXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI65R420CFDXKSA1-FT |
IPI100N06S3L04XK
Infineon Technologies
BUZ31H3046XKSA1
Infineon Technologies
IPI020N06NAKSA1
Infineon Technologies
IPI023NE7N3 G
Infineon Technologies
IPI024N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI028N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI030N10N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI030N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI032N06N3 G
Infineon Technologies
IPI034NE7N3 G
Infineon Technologies
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel