casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI80CN10N G
codice articolo del costruttore | IPI80CN10N G |
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Numero di parte futuro | FT-IPI80CN10N G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI80CN10N G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 12µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 716pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 31W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI80CN10N G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI80CN10N G-FT |
IPI034NE7N3 G
Infineon Technologies
IPI037N06L3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI037N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI037N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI03N03LA
Infineon Technologies
IPI040N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI041N12N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI04CN10N G
Infineon Technologies
IPI04N03LA
Infineon Technologies
IPI052NE7N3 G
Infineon Technologies
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel