casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFPS3810
codice articolo del costruttore | IRFPS3810 |
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Numero di parte futuro | FT-IRFPS3810 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFPS3810 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 170A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 390nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6790pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 580W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | SUPER-247™ (TO-274AA) |
Pacchetto / caso | TO-274AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFPS3810 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFPS3810-FT |
IRF3711Z
Infineon Technologies
IRF3711ZPBF
Infineon Technologies
IRF3805
Infineon Technologies
IRF3805PBF
Infineon Technologies
IRF4104
Infineon Technologies
IRF4104GPBF
Infineon Technologies
IRF520N
Infineon Technologies
IRF540Z
Infineon Technologies
IRF9204PBF
Infineon Technologies
IRFB17N20D
Infineon Technologies
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel