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Infineon Technologies IRLB3036GPBF

Name: IRLB3036GPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLB3036GPBF
Availability: InStock
Rating: 4.5 (579 reviews)

Numero parte MFG: IRLB3036GPBF

quantità disponibile: 25380 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRLB3036GPBF.pdf

IRLB3036GPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRLB3036GPBF
Numero di parte futuro	FT-IRLB3036GPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRLB3036GPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	195A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 165A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	11210pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	380W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLB3036GPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRLB3036GPBF-FT

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