casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP80N06S2LH5AKSA2
codice articolo del costruttore | IPP80N06S2LH5AKSA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP80N06S2LH5AKSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP80N06S2LH5AKSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80N06S2LH5AKSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP80N06S2LH5AKSA2-FT |
IPP50R520CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R520CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP600N25N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R074C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099CPAAKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
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EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
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EP1C20F324I7N
Intel