casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP80N06S207AKSA4
codice articolo del costruttore | IPP80N06S207AKSA4 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP80N06S207AKSA4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP80N06S207AKSA4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 68A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80N06S207AKSA4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP80N06S207AKSA4-FT |
IPP45N06S4L08AKSA2
Infineon Technologies
IPP45P03P4L11AKSA1
Infineon Technologies
IPP47N10S33AKSA1
Infineon Technologies
IPP47N10SL26AKSA1
Infineon Technologies
IPP50CN10NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R140CPHKSA1
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IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R199CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R199CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R250CPHKSA1
Infineon Technologies
M2GL025-1FG484I
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APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
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A3P400-1FG256
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XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
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LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
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10CL080YF780C6G
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