casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP50R250CPHKSA1
codice articolo del costruttore | IPP50R250CPHKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP50R250CPHKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPP50R250CPHKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 520µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1420pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 114W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP50R250CPHKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP50R250CPHKSA1-FT |
IPP060N06NAKSA1
Infineon Technologies
IPP062NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP065N04N G
Infineon Technologies
IPP065N06LGAKSA1
Infineon Technologies
IPP06CN10LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP06CN10N G
Infineon Technologies
IPP06CN10NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP06CNE8N G
Infineon Technologies
IPP06N03LA
Infineon Technologies
IPP070N06L G
Infineon Technologies
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel