casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP50R140CPHKSA1
codice articolo del costruttore | IPP50R140CPHKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP50R140CPHKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPP50R140CPHKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 550V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 930µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2540pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 192W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP50R140CPHKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP50R140CPHKSA1-FT |
IPP05CN10L G
Infineon Technologies
IPP05CN10NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP05N03LA
Infineon Technologies
IPP05N03LB G
Infineon Technologies
IPP060N06NAKSA1
Infineon Technologies
IPP062NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP065N04N G
Infineon Technologies
IPP065N06LGAKSA1
Infineon Technologies
IPP06CN10LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP06CN10N G
Infineon Technologies
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation