casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP80N04S2H4AKSA2
codice articolo del costruttore | IPP80N04S2H4AKSA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP80N04S2H4AKSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP80N04S2H4AKSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 148nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80N04S2H4AKSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP80N04S2H4AKSA2-FT |
IPP260N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP26CN10NGHKSA1
Infineon Technologies
IPP26CNE8N G
Infineon Technologies
IPP35CN10N G
Infineon Technologies
IPP35CN10NGXKSA1
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IPP410N30NAKSA1
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IPP45N06S3-16
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IPP45N06S3L-13
Infineon Technologies
IPP45N06S409AKSA1
Infineon Technologies
IPP45N06S409AKSA2
Infineon Technologies
A3PN015-1QNG68I
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A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
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A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
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XC4028XL-09HQ208C
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XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
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EP3SE80F780C4
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EPF10K30AQC208-1N
Intel