casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP45N06S3-16
codice articolo del costruttore | IPP45N06S3-16 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP45N06S3-16 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP45N06S3-16 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.7 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 30µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2980pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 65W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP45N06S3-16 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP45N06S3-16-FT |
IPP04N03LA
Infineon Technologies
IPP04N03LB G
Infineon Technologies
IPP050N06N G
Infineon Technologies
IPP051N15N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP052N06L3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP052NE7N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP054NE8NGHKSA2
Infineon Technologies
IPP057N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP057N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP057N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel