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codice articolo del costruttore | IPP45N06S3-16 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP45N06S3-16 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP45N06S3-16 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.7 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 30µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2980pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 65W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP45N06S3-16 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP45N06S3-16-FT |
IPP04N03LA
Infineon Technologies
IPP04N03LB G
Infineon Technologies
IPP050N06N G
Infineon Technologies
IPP051N15N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP052N06L3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP052NE7N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP054NE8NGHKSA2
Infineon Technologies
IPP057N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP057N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP057N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel