casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP45N06S3L-13
codice articolo del costruttore | IPP45N06S3L-13 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP45N06S3L-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP45N06S3L-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 30µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 65W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP45N06S3L-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP45N06S3L-13-FT |
IPP04N03LB G
Infineon Technologies
IPP050N06N G
Infineon Technologies
IPP051N15N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP052N06L3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP052NE7N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP054NE8NGHKSA2
Infineon Technologies
IPP057N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP057N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP057N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP05CN10L G
Infineon Technologies
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel