casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP60R600E6XKSA1
codice articolo del costruttore | IPP60R600E6XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP60R600E6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPP60R600E6XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 63W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP60R600E6XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP60R600E6XKSA1-FT |
IPP10N03LB G
Infineon Technologies
IPP110N20N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP114N03L G
Infineon Technologies
IPP11N03LA
Infineon Technologies
IPP120N04S401AKSA1
Infineon Technologies
IPP120N04S402AKSA1
Infineon Technologies
IPP120N06NGAKSA1
Infineon Technologies
IPP120N06S402AKSA1
Infineon Technologies
IPP120N06S402AKSA2
Infineon Technologies
IPP120N06S403AKSA1
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel