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codice articolo del costruttore | IPP120N06NGAKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP120N06NGAKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP120N06NGAKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 94µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 158W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP120N06NGAKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP120N06NGAKSA1-FT |
BUZ73
Infineon Technologies
BUZ73A
Infineon Technologies
BUZ73A H
Infineon Technologies
BUZ73A H3046
Infineon Technologies
BUZ73AE3046XK
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BUZ73AL
Infineon Technologies
BUZ73ALHXKSA1
Infineon Technologies
BUZ73E3046XK
Infineon Technologies
BUZ73H3046XKSA1
Infineon Technologies
BUZ73HXKSA1
Infineon Technologies
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
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EP1SGX25DF1020C6
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